[发明专利]相变存储器的写优化电路及其写优化方法有效
| 申请号： | 200910247484.9 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101770807A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈后鹏;蔡道林;陈小刚;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟;冯珺 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 优化 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的写优化电路，其特征在于，所述写优化电路包括：写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路以及相变存储器电路；所述写优化控制电路与脉冲控制电路、修调电路连接，修调电路与脉冲控制电路、可变电流源电路连接，脉冲控制电路与振荡器电路、可变电流源电路连接，可变电流源电路与相变存储器电路连接，数据读出电路与相变存储器电路、修调电路连接；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作的结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；数据读出电路的读出结果同时控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。
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