[发明专利]一种掺钛保偏光纤的制备方法无效
| 申请号： | 200910247896.2 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101759358A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 申云华;文雁平 | 申请（专利权）人： | 上海亨通光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/018 | 分类号： | C03B37/018 |
| 代理公司： | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人： | 徐小蓉 |
| 地址： | 200436*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光纤通信领域，具体指的是一种掺钛保偏光纤制备方法。本发明在保偏光纤预制棒的制备过程中，采用化学气相沉积技术，在保偏光纤的芯部和外包层沉积二氧化钛(TiO2)，形成含TiO2成分的纤芯和外包层结构。在保偏光纤的芯部沉积的二氧化钛含量不大于1.5％；在保偏光纤的外包层沉积的二氧化钛含量不大于2％。在应力棒的制备过程中，采用MCVD工艺制备，在应力棒中沉积含量为14-15％的氧化硼(B2O3)。本发明的优点是，是一种有效的改善保偏光纤热稳定性的方法，在保证光纤参数不变的情况下，降低光纤的热膨胀系数，使温度性能大大提高，其对环境温度的适应性显著增强，适合于所有不同应力型保偏光纤生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺钛保 偏光 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺钛保偏光纤的制备方法，其特征在于：在保偏光纤预制棒的制备过程中，采用化学气相沉积技术，在保偏光纤的芯部和外包层沉积二氧化钛，形成含二氧化钛成分的纤芯和外包层结构。
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