[发明专利]半导体存储器件及其读出放大器电路

摘要

本发明提供兼顾了高集成、低功耗·高速动作的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括由多个下拉电路和一个上拉电路构成的读出放大器电路。构成多个下拉电路中的一个下拉电路的晶体管的特征在于，沟道长度、沟道宽度这些常数比构成其他下拉电路的晶体管大。此外，先驱动多个下拉电路中晶体管常数大的下拉电路，然后激活另一个下拉电路和上拉电路来进行读出。此外，数据线和先驱动的下拉电路由NMOS晶体管连接，通过激活、不激活上述NMOS晶体管，来控制上述下拉电路的激活、非激活。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：数据线对；第一电路，连接在上述数据线对之间，基于上述数据线对各自的电位使其中的一条数据线沿着第一电位电平方向变化；第二电路，连接在上述数据线对之间，基于上述数据线对各自的电位使其中的另一条数据线沿着与上述第一电位电平相反的第二电位电平方向变化；以及第三电路，连接在上述数据线对之间，先于上述第一电路而被激活，以使得基于上述数据线对各自的电位而使上述其中的一条数据线沿着上述第一电位电平方向变化。