[发明专利]封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910252065.4 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088033A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 科轩微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王月玲;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法，其结构具有一第一导电型的漏极区、一第二导电型的本体、一沟槽式栅极与多个具有第一导电型的源极区；本体位于漏极区上；沟槽式栅极位于本体内，并具有至少二长条部分与一交错部分，其中，长条部分的底部位于漏极区内，交错部分的底部位于本体内；源极区位于本体内，并且至少邻接于沟槽式栅极的长条部分。本发明通过缩减沟槽式栅极与漏极的接面面积，以降低封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构的栅极/漏极电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 封闭 沟槽 功率 半场 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，包括：一第一导电型的漏极区；一第二导电型的本体，位于该漏极区上；一沟槽式栅极，位于该本体内，该沟槽式栅极具有至少二长条部分与一交错部分，其中，该长条部分的底部位于该漏极区内，该交错部分的底部位于该本体内；以及多个具有该第一导电型的源极区，位于该本体内，并且至少邻接于该沟槽式栅极的该长条部分。
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