[发明专利]涂敷处理方法及涂敷处理装置有效
| 申请号： | 200910252191.X | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101750898A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 井关智弘;吉原健太郎;野田朋宏;吉原孝介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述：使半导体晶圆(W)以低速的第1转速旋转，向晶圆中心部供给纯水(DIW)而形成纯水的积水部，然后在使晶圆以上述第1转速旋转的状态下，向晶圆中心部供给水溶性的涂敷液(TARC)，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合。然后使晶圆以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种涂敷处理方法，其用于向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，该涂敷处理方法包括以下工序：第1工序，其用于使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，用于在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，用于使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。
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