[发明专利]半导体晶圆的保护带剥离方法及保护带剥离装置无效

专利信息
申请号: 200910252741.8 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101752219A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 山本雅之;长谷幸敏 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/68
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体晶圆的保护带剥离方法及保护带剥离装置。利用CCD拍摄装置拍摄半导体晶圆的外周部,对该图像数据进行图像解析,检测晶圆外周的缺口、裂纹等缺陷而存储其位置。由存储的位置信息计算相邻的缺陷彼此之间的间隔。比较该计算结果和预先决定的剥离带的宽度,通过计算处理求出大于剥离带的间隔部分。基于计算结果,若发现宽度比剥离带宽的间隔,则将该间隔部分定为剥离带的粘贴位置,将晶圆对位。之后,通过将剥离带粘贴于晶圆上的保护带并进行剥离,将保护带一体地从晶圆表面剥离。
搜索关键词: 半导体 保护 剥离 方法 装置
【主权项】:
一种半导体晶圆的保护带剥离方法,该剥离方法通过在粘贴于半导体晶圆的表面的保护带上粘贴宽度比该半导体晶圆的直径窄的剥离带而进行剥离,将保护带与剥离带一体地从晶圆表面剥离,其特征在于,上述方法包括以下过程:检测在半导体晶圆的外周部产生的缺陷并存储其位置;由存储的位置信息计算相邻的缺陷彼此之间的间隔,比较该计算结果和上述剥离带的宽度,求出大于剥离带宽度的间隔部分;从求得的上述间隔部分开始粘贴并剥离剥离带。
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