[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件封装绝缘批覆结构及批覆方法有效
| 申请号： | 200910253260.9 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102097406A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亮洁;王政一 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构及批覆方法，步骤如下：提供一单一晶粒尺寸半导体元件，其具有三组两两相对的侧面，且该三组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，此金属引线区域位于晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；利用一夹具遮蔽该两金属垫的其中之一及其所对应的该金属引线区域；进行一批覆步骤，以在该单一晶粒尺寸半导体元件上形成一绝缘批覆层；进行一移除步骤，以裸露被该绝缘批覆层所覆盖的该金属垫；以及形成两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域，由此可形成一单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，以为元件提供更好的保护功能，并简化元件与基板的固接工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 晶粒 尺寸 半导体 元件 封装 绝缘 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于，包括：一单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有多组两两相对的侧面，且该多组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，该一组相对的侧面为晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；一绝缘批覆层，其覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的另外不具有该金属垫的侧面上；以及两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳邦科技股份有限公司，未经佳邦科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910253260.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
