[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910253351.2 | 申请日: | 2004-07-02 |
公开(公告)号: | CN101713920A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 小谷敏也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,其具有基于设计图形的物理图形,其中:设计图形包括对象图形和修正图形;对象图形包括:边缘的第一部分,在该第一部分和与之相对的图形之间具有第一距离;边缘的第二部分,在该第二部分和与之相对的图形之间具有第二距离,该第二距离与第一距离不同;边缘的第三部分,其具有边缘的第一区域和边缘的第二区域,在该第一区域和与之相对的图形之间具有所述第一距离,在该第二区域和与之相对的图形之间具有第二距离;修正图形被附加到边缘的第一部分、边缘的第二部分和边缘的第三部分中的至少一个上,以使得该边缘的第一部分、该边缘的第二部分和该边缘的第三部分在设计图形的维度上相互不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其具有基于设计图形的物理图形,其中:所述设计图形包括对象图形和修正图形;所述对象图形包括:边缘的第一部分,在该第一部分和与之相对的图形之间具有第一距离;边缘的第二部分,在该第二部分和与之相对的图形之间具有第二距离,该第二距离与所述第一距离不同;边缘的第三部分,其具有边缘的第一区域和边缘的第二区域,在该第一区域和与之相对的图形之间具有所述第一距离,在该第二区域和与之相对的图形之间具有所述第二距离;所述修正图形被附加到所述边缘的第一部分、所述边缘的第二部分和所述边缘的第三部分中的至少一个上,以使得该边缘的第一部分、该边缘的第二部分和该边缘的第三部分在所述设计图形的维度上相互不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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