[发明专利]高纯度铜靶材的制作方法有效
| 申请号： | 200910253945.3 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102091733A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;袁海军;刘庆 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B21D25/00 | 分类号： | B21D25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 315400 浙江省余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种高纯度铜靶材的制作方法，所述方法包括：提供铜料件，所述铜料件具有原始厚度；对所述铜料件进行冷压延，制成目标铜靶材；对所述目标铜靶材进行热处理。所述冷压延步骤包括：具有第一压延量的第一冷压延、具有第二压延量的第二冷压延、具有第三压延量的第三冷压延，所述第一压延量、第二压延量、第三压延量依次减小。通过对压延量、铜料件角度、热处理温度、热处理时间进行控制，得到了尺寸合适、内部晶粒大小符合要求的高纯度铜靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 铜靶材 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供铜料件，所述铜料件具有原始厚度；对所述铜料件进行冷压延，制成目标铜靶材；对所述目标铜靶材进行热处理。
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