[发明专利]低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200910254380.0 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101747036A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 苏皓;方芳 | 申请（专利权）人： | 河北理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 063000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷及其制备方法，其组分及其原料重量百分比如下：BaTiO3为57～72％，PbTiO3熔块为6～12％，(Na，Bi)TiO3熔块为9～16％，Nb2O5为4～8％，MgO为0.7～1.5％，Sm2O3为0.1～3％，SnO2为1.2～5％，ZnO为0.2～3％；其中PbTiO3熔块使用PbO与TiO2制备，PbO与TiO2的重量比为1～1.2；(Na，Bi)TiO3熔块使用NaCO3、Bi2O3与TiO2的重量比为a∶b∶c，其中a值为70～73，b值为115～118，c值为154～164。制备方法包括：(1)预制PbTiO3熔块(2)预制(Na，Bi)TiO3熔块(3)制坯烧结。本发明所述电介质陶瓷适用于电容器、滤波器等电子器件，制造成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 温度 变化 低频 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷，其特征在于，其组分及其原料重量百分比如下：BaTiO3为57～72％，PbTiO3熔块为6～12％，(Na，Bi)TiO3熔块为9～16％，Nb2O5为4～8％，MgO为0.7～1.5％，Sm2O3为0.1～3％，SnO2为1.2～5％，ZnO为0.2～3％。
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