[发明专利]一种具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 200910254428.8 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101728089A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 任巍;王玲艳;史鹏;张效华;梁广华;王昭;吴小清;陈晓峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G9/155 | 分类号： | H01G9/155 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电容器制造领域，公开了一种具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法。薄膜电容器包括衬底，垂直叠置在衬底上的至少一个薄膜电容器层；所述薄膜电容器层包含依次垂直叠置的下金属电导子层、下耐击穿子层、中间储能薄膜子层、上耐击穿子层、上金属电导子层。薄膜电容器制备选择硅或者氧化铝陶瓷做衬底，然后在衬底上面依次制备一层或多层薄膜电容器层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高储能 密度 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，包括衬底，垂直叠置在衬底上的至少一个薄膜电容器层；所述薄膜电容器层包含依次垂直叠置的下金属电导子层、下耐击穿子层、中间储能薄膜子层、上耐击穿子层、上金属电导子层。
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