[发明专利]一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构及其生长方法

摘要

本发明提供了一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构及其生长方法，该GaN基晶体的结构自下至上包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW和P型GaN层，AlN缓冲层具有3-5个三维和二维循环，三维AlN的厚度为50nm-100nm，二维AlN的厚度为30nm-60nm；其生长方式包括以下步骤：先进行AlN的三维生长，生长厚度为50nm-100nm，接着进行AlN的二维生长，厚度为30nm-60nm，这样循环3-5次；然后生长N型GaN层、 MQW层和P型GaN层。本发明通过AlN作为缓冲层，利用MOCVD三维和二维循环谐振生长，有效地减少了位错密度，生长的薄膜位错密度非常低，因为晶体质量得到改善，应力得到释放，能够生长得到更厚的全结构LED，而不会出现裂纹。

主权项

一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构，自下至上包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层，其特征是：AlN缓冲层具有3-5个三维和二维循环，三维AlN的厚度为50nm-100nm，二维AlN的厚度为30nm-60nm。