[发明专利]场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 200910258502.3 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101752428A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 上田未纪;岩崎达哉;板垣奈穗;高亚阿米达 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在半导体层之上使得其间具有栅绝缘层，其中，半导体层包含：第一非晶氧化物半导体层，所述第一非晶氧化物半导体层包含选自由Zn和In构成的组的至少一种元素；以及第二非晶氧化物半导体层，所述第二非晶氧化物半导体层包含选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自由Zn和In构成的组的至少一种元素。
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