[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910258504.2 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101752488A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 友田胜宽 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括：(A)发光部分，通过依次层叠具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层而获得；(B)第一电极，电连接到第一化合物半导体层；(C)透明导电材料层，形成在第二化合物半导体层上；(D)绝缘层，包括透明绝缘材料且具有开口，绝缘层形成在透明导电材料层上；和(E)第二电极，反射来自于发光部分的光，第二电极以连续方式形成在暴露于开口的底部的透明导电材料层上和绝缘层上，其中，假定构成发光部分的有源层的面积为S1，透明导电材料层的面积为S2，绝缘层的面积为S3，以及第二电极的面积为S4，满足S1≤S2＜S3且S2＜S4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：(A)发光部分，通过依次层叠具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层而获得；(B)第一电极，电连接到所述第一化合物半导体层；(C)透明导电材料层，形成在所述第二化合物半导体层上；(D)绝缘层，包括透明绝缘材料并且具有开口，所述绝缘层形成在所述透明导电材料层上；和(E)第二电极，其反射来自于所述发光部分的光，所述第二电极以连续方式形成在暴露于所述开口的底部的所述透明导电材料层上和所述绝缘层上，其中，假定构成所述发光部分的有源层的面积为S1，所述透明导电材料层的面积为S2，所述绝缘层的面积为S3，以及所述第二电极的面积为S4，则满足S1≤S2＜S3且S2＜S4。
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