[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910258551.7 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097336A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/482;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供一第一晶圆及一第二晶圆；(b)配置该第一晶圆于该第二晶圆上；(c)移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽；(d)形成一穿导孔于该沟槽内；及(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上。藉此，只需形成一个穿导孔即可贯穿且电性连接这些晶圆，故可简化工艺且降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：(a)提供一第一晶圆及一第二晶圆，该第一晶圆具有一第一主动面及至少一第一电性连接垫，该第一电性连接垫显露于该第一主动面，且具有至少一穿孔，该第二晶圆具有一第二主动面及至少一第二电性连接垫，该第二电性连接垫显露于该第二主动面；(b)配置该第一晶圆于该第二晶圆上；(c)移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽，该沟槽与该第一电性连接垫的穿孔相连通，且显露该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；(d)形成一穿导孔于该沟槽内，该穿导孔电性连接该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；及(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上，该电性连接组件电性连接至该穿导孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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