[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。

主权项

一种半导体器件，包括：(a)管芯焊盘；(b)设置于所述管芯焊盘周围的多个引线；(c)半导体芯片，具有主表面和与所述主表面相反的后表面，并且在所述主表面侧上包括多个磁存储器元件和多个键合焊盘，所述半导体芯片设置于所述管芯焊盘之上；(d)第一磁屏蔽材料，设置于所述管芯焊盘与所述半导体芯片的后表面之间；(e)第二磁屏蔽材料，设置于所述半导体芯片的主表面之上并且设置成覆盖所述磁存储器元件形成的区域；(f)多个键合接线，用于将所述键合焊盘分别电耦合到所述引线；以及(g)树脂体，密封所述相应引线的一部分、所述键合接线、所述管芯焊盘、所述半导体芯片、所述第一磁屏蔽材料和所述第二磁屏蔽材料，其中所述第二磁屏蔽材料的面积形成得比所述半导体芯片的主表面的面积更小，并且其中所述第二磁屏蔽材料的厚度形成得比所述第一磁屏蔽材料的厚度更厚。