[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法，该薄膜太阳能电池包括一基板、一第一导电层、一第一型半导体层、一混合式半导体层、一第二型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。第一型半导体层配置于第一导电层上。混合式半导体层具有一非晶硅层及一结晶硅层。非晶硅层具有一第一能隙，而结晶硅层具有一第二能隙，其中第一能隙大于第二能隙。混合式半导体层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第二导电层配置于第二型半导体层上。本发明亦提出一种薄膜太阳能电池的制作方法。

主权项

一种薄膜太阳能电池，其特征在于包括：一基板；一第一导电层，配置于该基板上；一第一型半导体层，配置于该导电层上；一混合式半导体层，具有一非晶硅层及一结晶硅层，该非晶硅层具有一第一能隙，该结晶硅层具有一第二能隙，其中该第一能隙大于该第二能隙；一第二型半导体层，其中该混合式半导体层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；以及一第二导电层，配置于该第二型半导体层上。