[发明专利]一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法无效
申请号: | 200910259347.7 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101724823A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 李中华;郑阔海;赵琳 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张利萍 |
地址: | 730000*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,特别是采用磁控溅射法用SiO2/PTFE复合靶制备SiOx/PTFE复合涂层来实现基底材料的原子氧防护,属于航空航天技术领域。用导电胶将PTFE片状材料均匀粘贴在SiO2靶上,然后将制备的SiO2/PTFE复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上,得到SiOx/PTFE复合原子氧防护涂层。SiOx/PTFE复合涂层原子氧防护性能良好,不影响航天器表面材料的工作性能;SiOx/PTFE复合涂层适用于各类航天器表面材料,柔韧性好,特别在用于柔性薄膜等需卷绕表面有明显优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 原子 防护 涂层 sio sub ptfe 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:(1)制备圆形的SiO2靶;(2)制备与SiO2靶同直径、扇形的PTFE片状材料;(3)用导电胶将PTFE片状材料均匀粘贴在SiO2靶上;(4)将(3)制备的SiO2/PTFE复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上,磁控溅射设备抽真空至2×10-3Pa,然后通入Ar气,开启磁控溅射靶电源,靶面产生辉光放电,Ar离子流对SiO2/PTFE靶进行轰击,从靶面溅射出SiOx和PTFE,沉积在涂层基底上,得到SiOx/PTFE复合原子氧防护涂层。
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