[发明专利]一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910259347.7 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN101724823A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 李中华;郑阔海;赵琳 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张利萍
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,特别是采用磁控溅射法用SiO2/PTFE复合靶制备SiOx/PTFE复合涂层来实现基底材料的原子氧防护,属于航空航天技术领域。用导电胶将PTFE片状材料均匀粘贴在SiO2靶上,然后将制备的SiO2/PTFE复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上,得到SiOx/PTFE复合原子氧防护涂层。SiOx/PTFE复合涂层原子氧防护性能良好,不影响航天器表面材料的工作性能;SiOx/PTFE复合涂层适用于各类航天器表面材料,柔韧性好,特别在用于柔性薄膜等需卷绕表面有明显优势。
搜索关键词: 一种 复合 原子 防护 涂层 sio sub ptfe 制备 方法
【主权项】:
一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:(1)制备圆形的SiO2靶;(2)制备与SiO2靶同直径、扇形的PTFE片状材料;(3)用导电胶将PTFE片状材料均匀粘贴在SiO2靶上;(4)将(3)制备的SiO2/PTFE复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上,磁控溅射设备抽真空至2×10-3Pa,然后通入Ar气,开启磁控溅射靶电源,靶面产生辉光放电,Ar离子流对SiO2/PTFE靶进行轰击,从靶面溅射出SiOx和PTFE,沉积在涂层基底上,得到SiOx/PTFE复合原子氧防护涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910259347.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top