[发明专利]一种PN结嵌入玻璃钝化器件的结构设计

摘要

玻璃钝化二极管，单向或双向，常用深结扩散工艺，N型单晶片或P型单晶片，在其上通过掺硼或掺磷，进行高温扩散，形成较深PN结。然后进行传统的玻璃钝化。但由于产品高压或者功率的要求，PN结很深，从而台面腐蚀深度很深，特别是对硅片厚度要求较薄的产品，碎片率难以控制，而且由于台面的深度，大大牺牲了芯片的有效面积，生产成本加大。本发明采用N型或P型单晶片，通过两次扩散，形成非常好的均匀PN结，而且台面深度浅，芯片有效利用率高，生产成本低，并有很好抗电流能力。

主权项

一种具有PN结嵌入玻璃钝化半导体器件的结构设计和制造方法，如图2在硅衬底1上液态源或乳胶源或纸源进行大面积与衬底异型的杂质扩散。在一定温度下形成5‑30um的结深2，然后通过光刻胶或者氧化层掩蔽，用硅腐蚀液腐蚀15‑35um的台面3，再通过1150℃‑1300℃高温扩散，根据器件要求结深20‑80um不等4。最后进行台面清洗，玻璃钝化以及镀金属层，划片后即形成独立的器件。