[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910260392.4 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101764063A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金锺玟 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/38 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;方抗美 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。用于制造半导体器件的方法包括步骤：执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以形成第一导电型第一阱；执行第二注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第一阱中，以形成第一导电型第二阱；执行第三注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第二阱中，以形成第二导电型杂质区；在半导体衬底上形成栅极；以及执行第四注入来注入第二导电型杂质以在栅极的一侧上的第二导电型杂质区中形成漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤：执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以形成第一导电型第一阱；执行第二注入将第二导电型杂质注入到所述第一导电型第一阱中，以形成第一导电型第二阱；执行第三注入将第二导电型杂质注入到所述第一导电型第二阱中，以形成第二导电型杂质区；在所述半导体衬底上形成栅极；以及执行第四注入来注入所述第二导电型杂质以在所述栅极的一侧上的所述第二导电型杂质区中形成漏极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910260392.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
