[发明专利]光刻设备和辐射至少两个目标部分的方法无效
申请号: | 200910260603.4 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101750907A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | C·L·M·范威尔特;M·A·范德克尔克豪夫;B·莫埃斯特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种光刻设备和一种辐射至少两个目标部分的方法。所述光刻设备包括台、位于所述台上的或位于所述台上的物体上的至少两个目标部分以及所述至少两个目标部分之间的表面材料。所述设备还包括光学系统,所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束,所述辐射束的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分。所述设备还包括屏蔽件,所述屏蔽件能够移入所述光路以限制辐射束的横截面,从而限制所述至少两个目标部分之间的照射,其中所述至少两个目标部分之间的表面材料在被来自光学系统的辐射所辐射时会产生劣化。 | ||
搜索关键词: | 光刻 设备 辐射 至少 两个 目标 部分 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻设备,包括:台;至少两个目标部分,所述至少两个目标部分位于所述台上或者位于所述台上的物体上,在所述至少两个目标部分之间设置有表面材料;光学系统,所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束,所述辐射束的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分;和屏蔽件,所述屏蔽件可移动入所述光路中,以限制辐射束的横截面,从而限制所述至少两个目标部分之间的照射,其中,在所述至少两个目标部分之间的所述表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时将产生劣化、或变形、或者劣化和变形两者。
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