[发明专利]倒装芯片式发光二极管模块的制造方法无效
| 申请号： | 200910261967.4 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110747A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨岳勋 | 申请（专利权）人： | 永曜光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其于发光二极管所具的晶片基板上依序成长有N型半导体层、发光层及P型半导体层以构成外延层，而后将晶片切割成多个发光晶粒，并挑选出适用的发光晶粒透过UV胶来粘贴于胶膜一侧表面上，即可将成批发光晶粒库存或是进行后续封装工艺，当发光晶粒欲与胶膜脱离时，可利用UV曝光机产生的UV光照射于UV胶上进行曝光，并通过UV胶光固化后降低发光晶粒粘贴于胶膜上的粘度，使分离装置所具的顶针推顶于胶膜另侧表面上时，得以轻易将发光晶粒与胶膜逐一分离，可有效防止较薄的外延层承受过大的冲击能量导致发光晶粒结构上的破坏，提高产品良率、减少制造上的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 发光二极管 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其实施步骤为包括有：A)发光二极管所具的晶片基板上依序成长有N型半导体层、发光层及P型半导体层以构成外延层；B)将晶片切割成多个单颗发光晶粒；C)挑选出适用的发光晶粒；D)将UV胶涂布于胶膜一侧表面上形成有涂布层，并将各发光晶粒透过UV胶粘贴于胶膜上成为一体；E)利用UV曝光机产生的UV光照射于胶膜上的涂布层进行曝光，通过UV胶光固化后降低发光晶粒粘贴于胶膜上的粘度；F)再利用分离装置所具的顶针推顶于胶膜另侧表面上，而使各发光晶粒与胶膜逐一分离。
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