[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910262148.1 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101834203A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成，且表面为Si面；从所述半导体层的表面挖下的栅极沟槽；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的底面及侧面上，所述底面上的部分的厚度与所述侧面上的部分的厚度之比为0.3～1.0；栅电极，其经由所述栅极绝缘膜埋设于所述栅极沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成，且表面为Si面；从所述半导体层的表面挖下的栅极沟槽；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的底面及侧面上，所述底面上的部分的厚度与所述侧面上的部分的厚度之比为0.3～1.0；栅电极，其经由所述栅极绝缘膜埋设于所述栅极沟槽。
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