[发明专利]一种肖特基薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200910264857.3 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN101820011A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 张宏勇;邹福松 申请(专利权)人: 江苏华创光电科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/20
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省宜兴市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种肖特基薄膜太阳能电池,包括玻璃基板,玻璃基板上为过渡层,过渡层上为金半结金属层作为背电极,金半结金属层上为晶体硅层,晶体硅层上为TCO薄膜层作为前电极。本发明所公开的一种肖特基薄膜太阳能电池,针对传统薄膜太阳能电池或晶体硅太阳能电池要么转化效率低、要么成本太高、要么工艺复杂的缺陷。采用了全新的结构、全新理论基础、新型工艺流程,提高太阳能电池对太阳能电池的转换效率和降低太阳能电池的制作成本。
搜索关键词: 一种 肖特基 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种肖特基薄膜太阳能电池,其特征在于,包括基板,基板上为过渡层,过渡层上为金半结金属层既作为背电极又作为金半结中金属层,金半结金属层上为晶体硅层,晶体硅层上为TCO薄膜层作为前电极。
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