[发明专利]一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路无效

专利信息
申请号: 200910264860.5 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN101814268A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 张晓建;彭永;张宏勇 申请(专利权)人: 江苏华创光电科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省宜兴市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路,包括:第一驱动薄膜晶体管,用于驱动所述有机发光二极管发光,其栅极和所述储存电容的一端相连;其漏极,和所述第四开关薄膜晶体管的源极及所述第三开关薄膜晶体管的漏极相连;其源极和所述有机发光二极管的阳极相连;第一开关薄膜晶体管,控制耦合电容为第一驱动薄膜晶体管的栅极充入灰阶数据电压;第二开关薄膜晶体管,控制耦合电容的一端放电;第三开关薄膜晶体管,控制第一驱动薄膜晶体管的栅极电压放电至阈值电压;第四开关薄膜晶体管,控制所述电源线与第一驱动薄膜晶体管的连接。本发明有效补偿驱动薄膜晶体管特性漂移,极大地增加有源矩阵有机发光显示器的寿命。
搜索关键词: 一种 改善 有源 矩阵 有机 发光 显示器 寿命 像素 电路
【主权项】:
一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路,其特征在于,包括电源线、数据线、多条行扫描线、有机发光二极管、储存电容、耦合电容、第一驱动薄膜晶体管、第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管、第三开关薄膜晶体管、第四开关薄膜晶体管、其中:第一驱动薄膜晶体管包括栅极,漏极和源极,用于驱动所述有机发光二极管发光,所述栅极和所述储存电容的一端相连;所述漏极,和所述第四开关薄膜晶体管的源极及所述第三开关薄膜晶体管的漏极相连;所述源极和所述有机发光二极管的阳极相连;第一开关薄膜晶体管,控制耦合电容为第一驱动薄膜晶体管的栅极充入灰阶数据电压;第二开关薄膜晶体管,控制耦合电容的一端放电;第三开关薄膜晶体管,控制第一驱动薄膜晶体管的栅极电压放电至阈值电压;第四开关薄膜晶体管,控制所述电源线与第一驱动薄膜晶体管的连接;其中所述电源线和所述第四开关薄膜晶体管的漏极相连;所述数据线与所述第一开关薄膜晶体管的漏极相连;所述耦合电容的第一端,与所述第一开关薄膜晶体管的源极及第二开关薄膜晶体管的漏极相连,所述耦合电容的另一端与所述第一驱动薄膜晶体管的栅极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏华创光电科技有限公司,未经江苏华创光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910264860.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top