[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910265286.5 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771034A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金钟玟;俞在炫;朴赞镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：有源区，由器件隔离层限定且位于衬底上和/或上方；第二导电阱，位于该有源区上和/或上方；扩展漏极，形成在该第二导电阱的一侧；栅电极，位于该第二导电阱和该扩展漏极上和/或上方；以及源极和漏极，形成在该栅电极的两侧，其中扩展区域在该栅电极下方形成在该第二导电阱的角部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：有源区，由器件隔离层限定且位于衬底上方；第二导电阱，位于该有源区上方；扩展漏极，形成在该第二导电阱的一侧；栅电极，位于该第二导电阱和该扩展漏极上方；以及源极和漏极，形成在该栅电极的两侧；其中扩展区域在该栅电极下方形成在该第二导电阱的角部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
