[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910265289.9 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771062A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李玟炯 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器和一种图像传感器的制造方法。一种图像传感器可以包括半导体衬底，该半导体衬底可以包括读出电路。一种图像传感器可以包括在半导体衬底之上的层间电介质，和/或在层间电介质上和/或之上的第一金属图案。互连件可以穿过层间电介质和/或可以被连接至读出电路。第一金属图案可以形成在层间电介质之上，和/或可以被连接至互连件。第二金属图案可以形成在第一金属图案之上。光电二极管图案可以形成在第二金属图案之上。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体衬底，其包括读出电路；层间电介质，其位于该半导体衬底之上；互连件，其穿过所述层间电介质并连接至所述读出电路；第一金属图案，其位于所述层间电介质之上并连接到该互连件；第二金属图案，其位于所述第一金属图案之上；以及光电二极管图案，其位于所述第二金属图案之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
