[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200910265290.1 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770939A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金瓘河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体功率器件的制造方法，包括如下步骤：在晶片的背面执行研磨工艺；在执行所述研磨工艺之后，顺序地执行第一等离子体工艺和快速热工艺；在执行所述快速热工艺之后，执行第二等离子体工艺；在执行所述第二等离子体工艺之后，执行金属薄膜工艺。在使该晶片的背面经历研磨工艺之后，通过利用氢等离子体和快速热工艺(RTP)处理晶片表面，将表面粗糙度控制到期望的程度，从晶片表面去除氢，从而所述半导体器件的制造方法能够防止在晶片表面上发生剥离效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括如下步骤：在晶片的背面执行研磨工艺；在执行所述研磨工艺之后，顺序地执行第一等离子体工艺和快速热工艺；在执行所述快速热工艺之后，执行第二等离子体工艺；以及在执行所述第二等离子体工艺之后，执行金属薄膜工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
