[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 200910265488.X | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110713A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 骆伯远;彭玉容;胡堂祥;詹益仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管，包括衬底、栅极、半导体层、绝缘堆迭层以及源极与漏极。栅极配置于衬底上。半导体层配置于衬底上，以第一型态载流子作为主要载流子。绝缘堆迭层配置于半导体层与栅极之间，包括第一绝缘层与第二绝缘层。其中，第一绝缘层包含能吸引第一型态载流子的第一基团，第二绝缘层包含能吸引第二型态载流子的第二基团，且第一绝缘层配置于半导体层与第二绝缘层之间。源极与漏极配置于衬底上，且位于半导体层的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：一衬底；一栅极，配置于该衬底上；一半导体层，配置于该衬底上，以一第一型态载流子作为主要载流子；一绝缘堆迭层，配置于该半导体层与该栅极之间，包括：一第一绝缘层，包含能吸引该第一型态载流子的一第一基团；以及一第二绝缘层，包含能吸引一第二型态载流子的一第二基团，其中该第一绝缘层配置于该半导体层与该第二绝缘层之间；以及一源极与一漏极，配置于该衬底上，且位于该半导体层的两侧。
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