[发明专利]微机电系统传感器及微机电系统传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种微机电系统传感器及其制造方法。在SOI中，在支撑基底中限定出用于将质量体和支撑体分离的沟道，在半导体层中限定出十字形柔性梁。在柔性梁的交叉区域中和在支撑体的上方的环形区域中对SOI的半导体层和中间绝缘层进行蚀刻。在被蚀刻的凹入部中掩埋连接件层。将半导体层构图为位于质量体上方的十字形柔性梁。在支撑体基底中蚀刻沟道，以暴露中间绝缘层，随后蚀刻中间绝缘层以在质量体和柔性梁之间形成间隙。在交叉区域的连接件层将质量体和柔性梁联接，并且在柔性梁外侧的连接件层将柔性梁和支撑体联接。止挡件通过在质量体角部的上方延伸连接件层而形成，或者通过保留半导体层而形成。

主权项

一种微机电系统传感器，包括：质量体；支撑体，其通过环形沟道包围所述质量体并与该质量体分离，所述支撑体和所述质量体由共同的基底形成；柔性梁，其具有压敏电阻件并且由半导体层形成，该半导体层从所述基底的上表面向上分开第一距离；第一连接件，其延伸穿过所述柔性梁的中央区域并到达所述质量体，所述第一连接件使所述柔性梁和所述质量体机械地联接；第二连接件，其接触所述柔性梁的各远端并延伸穿过所述半导体层，到达所述支撑体，所述第二连接件使所述柔性梁和所述支撑体机械地联接。