[发明专利]图像传感器的微透镜掩模及其用于形成微透镜的方法无效
| 申请号： | 200910266346.5 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101762969A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金钟满 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器的微透镜掩模及其用于形成微透镜的方法。在该方法中，在包括光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成绝缘层。在绝缘层上形成钝化层。在垂直对应于光电二极管的绝缘层上形成穿过钝化层的滤色镜层。在半导体衬底的整个表面之上形成微透镜光致抗蚀剂层。在与滤色镜层相对应的微透镜光致抗蚀剂上形成微透镜掩模。以大约450/0至550/0曝光量/焦距(dose/focus)的光强执行一次曝光工艺；使微透镜光致抗蚀剂层图案化以通过除去经过曝光工艺的光致抗蚀剂形成图案化的微透镜光致抗蚀剂层。回流该图案化的微透镜光致抗蚀剂层以形成该微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 透镜 及其 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种作为曝光掩模的微透镜掩模，其用于图案化微透镜光致抗蚀剂层，该微透镜掩模包括多个形成五边形或六边形阵列的图案，该图案的侧边彼此相邻并且通过间隔隔开。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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