[发明专利]用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910266817.2 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101764115A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法。该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，使得该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构覆盖该第一开口区域与部分该保护层，以提供该衬垫与一凸块间较低阻抗的导电性能，同时该导电结构在其他位置的保护层上，并无断点的形成，此还具有使导电更加稳定的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 导电 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，该保护层具有一边缘区域，以界定出该衬垫的一暴露区域，该导电结构包含：至少一中间导电层，具有一边缘区域，形成于该保护层的上方，该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的边缘区域，顺序形成为一阶梯状的轮廓，并界定出一容置空间；一底层金属，该底层金属与该暴露区域接触，并连续延伸覆盖该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的边缘区域；以及一凸块，对应于该暴露区域，形成于该底层金属上。
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