[发明专利]酞菁铜聚合物薄膜吸声材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910272799.9 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101875787A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张智勇;赵宗煌;叶石如;戴志群;曾泳;宋光森 | 申请（专利权）人： | 武汉工业学院 |
| 主分类号： | C08L85/00 | 分类号： | C08L85/00;C08L79/00;C08K3/22;C08K3/04;C08K3/26;D06M15/687;D06M15/37;D06M11/44;D06M11/46;D06M11/74;D06M11/76;C08J7/04 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 狄宗禄 |
| 地址： | 430023 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种酞菁铜聚合物薄膜吸声材料及其制备方法，该吸声材料是由酞菁铜衍生物组成的导电高分子聚合物、纳米添加剂、辅助成膜剂以及载体材料构成，并根据它们的电导率大小的变化方式形成整体。该吸声材料可以在声波宽频率范围(125Hz～4000Hz)内都能达到很好的吸声效果，其平均吸声系数大于0.5，最大吸声系数为0.95；其厚度薄重量轻，薄膜厚度约0.1～0.5毫米，每平方米的重量约150～400克。 | ||
| 搜索关键词： | 酞菁铜 聚合物 薄膜 吸声材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种酞菁铜聚合物薄膜吸声材料，其特征是该吸声材料由包括酞菁铜聚合物和导电纳米添加剂和成膜辅助剂制备而成，所述的酞菁铜聚合物包括具有式(1)结构式的化合物：![]()
其中R1、R2、R3、R4独立地选自氢原子、苯基、取代苯基、烯丙基、酰胺基、羧基、氰基、硝基或卤原子；或选自1至8个碳原子的烷基、烷氧基和烷胺基；优选为酰胺基和羧基。M代表具有与酞菁衍生物环配位能力的金属原子或氧化数为2的金属离子，它们是Cu，Co，Ni，Al，Zn等，优选为铜和镍。
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