[发明专利]一种提纯液晶材料的方法有效
| 申请号： | 200910273131.6 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101760203A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 任占冬;张智勇;朱玉婵;张开诚 | 申请（专利权）人： | 武汉工业学院 |
| 主分类号： | C09K19/00 | 分类号： | C09K19/00;B01D15/26;B01D17/06 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430023 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种提纯液晶材料的方法，该法用高活性吸附材料作吸附剂，并通过外加电场的离子膜提纯器，加强液晶材料中杂质离子移动，从而提高液晶材料的电阻率、电荷保持率，并能保持高电阻率的状态稳定。吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41介孔分子筛、SBA-15介孔分子筛、活性炭纤维或活性硅胶，或它们的组合物；优选吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41分子筛或它们的组合；吸附剂用量为液晶量的0.5wt％～10wt％，提纯时间30～210min，电场强度0.2kV/cm～20kV/cm，电极间距1mm～50mm。电极为板式或网式贵金属氧化物涂层电极；离子膜为均相阴离子交换膜或均相阳离子交换膜；溶剂为烷烃，芳烃，醇或醚；液晶材料是单体液晶化合物或混合液晶组合物；提纯装置对较大量液晶可实现连续提纯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 液晶 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种提纯液晶材料的方法，其特征在于：利用高活性的吸附材料作为吸附剂，并辅以外加电场，深度提纯精制液晶材料，所述的吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41介孔分子筛、SBA-15介孔分子筛、活性炭纤维或活性硅胶，或者是它们的组合物；优选的吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41介孔分子筛或它们的组合。
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