[发明专利]一种降低Ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法无效
| 申请号： | 200910273378.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740693A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 董彬忠;魏世祯;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层，在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。P型氮化镓层后的含有铟镓氮外延层的结构中铟组份含量比多量子阱层中的铟组份要低，这样，这层含有铟镓氮外延层的结构不会吸收多量子阱层中发出的光。而另一方面，在多量子阱中未复合的电子越过电子阻挡层后将在其后的铟镓氮层中复合掉，由于铟镓氮材料的禁带宽度比氮化镓要低，在铟镓氮层中复合将发出波长较长的可见光，从而减小甚至消除了LED芯片中紫外光辐射的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化物 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层，其特征在于：在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。
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