[发明专利]发光二极管光源无效
| 申请号： | 200910300441.2 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101806401A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 韦安琪;张乃文;赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V19/00;F21V21/00;F21V9/14;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管光源，其包括支架和多个出光单元，所述支架具有承载面，所述承载面为曲面，所述承载面开设多个安装槽，多个出光单元封装于所述多个安装槽内，每个出光单元均包括发光二极管芯片和反射式偏光层，所述发光二极管芯片具有出光面，用于出射具有第一偏振态和第二偏振态的光线，所述反射式偏光层形成于发光二极管芯片的出光面一侧，用于将第一种偏振态的光线出射，而将第二种偏振态的光线反射。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光源 | ||
【主权项】：
一种发光二极管光源，其包括支架和多个出光单元，所述支架具有承载面，所述承载面为曲面，所述承载面开设多个安装槽，多个出光单元封装于所述多个安装槽内，每个出光单元均包括发光二极管芯片和反射式偏光层，所述发光二极管芯片具有出光面，用于出射具有第一偏振态和第二偏振态的光线，所述反射式偏光层形成于发光二极管芯片的出光面一侧，用于将第一种偏振态的光线出射，而将第二种偏振态的光线反射。
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