[发明专利]一种声表面波换能器的制作方法无效
| 申请号： | 200910301697.5 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101599749A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种声表面波换能器的制作方法，属于传感器制作领域。该方法首先在压电基体上依次沉积钛、铝钼合金、钛、铝钼合金四层薄膜，然后涂覆光刻胶并曝光成表面声波换能器图形，采用氯气和氯化硼的混合气体刻蚀掉光刻胶未掩盖的非图形区域，最后去除光刻胶得到声表面波传感器换能器图形。本发明中的四层膜能抑制铝原子迁移，提高薄膜的附着力和功率承受力。在改善铝膜性能的同时，提高反应离子刻蚀图形的精确度，从而提高换能器性能的同时，提高器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 换能器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波换能器的制作方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：步骤A、在压电基体上依次沉积钛、铝钼合金、钛、铝钼合金四层薄膜；步骤B、涂覆光刻胶并曝光成表面声波换能器图形；步骤C、采用氯气和氯化硼的混合气体刻蚀掉光刻胶未掩盖的非图形区域；步骤D、去除光刻胶得到声表面波换能器图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910301697.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无机房电梯远程开闸控制装置
- 下一篇：护肩枕套
