[发明专利]一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 200910301768.1 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101540287A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;付晓君;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法。为了解决现有ZnO纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距的问题，本发明提供一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其步骤包括介质生长、背栅电极制作、底层源漏电极制作、使用交流双向介电电泳技术初步固定ZnO纳米线、使用基于AFM的纳米操控技术精确操控ZnO纳米线、顶层源漏电极制作。本发明将多根ZnO纳米线作为并联沟道并悬浮于空中，能够大幅度提高器件的电流、跨导、截止频率等器件性能以及紫外、气体、化学传感性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 沟道 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其制作方法步骤如下：(1)在衬底上表面生长介质；(2)在衬底背面制作背栅电极；(3)在介质上表面制作底层源漏电极；(4)对ZnO纳米线进行初步定位；(5)通过纳米操控技术将ZnO纳米线放置在底层源漏电极上；(6)在底层源漏电极上制作顶层源漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
