[发明专利]一种电阻转变型存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200910302914.2 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101577310A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;王琴;刘琦;张森;王艳;左青云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 刘铁生 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻转变型存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所述存储器包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，所述上电极和下电极均由功函数为4.5电子伏～6电子伏的材料制成，所述电阻转变存储层为由P型半导体二元金属氧化物制成的薄膜。本发明电阻转变型存储器的结构简单，采用功函数较高的材料制成上电极和下电极，并采用P型半导体氧化物制成的薄膜作为电阻转变存储层，使得上电极和下电极与电阻转变存储层界面能够形成欧姆接触或者低肖特基接触，使得存储器器件在较低的操作电压下就可以实现高阻态和低阻态之间的转变，因此可以降低存储器器件的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 转变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻转变型存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，其特征在于，所述上电极和下电极均由功函数为4.5电子伏～6电子伏的材料制成，所述电阻转变存储层为由P型半导体二元金属氧化物制成的薄膜。
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