[发明专利]一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200910302938.8 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101587937A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;王琴;左青云;王艳;刘琦;张森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 刘铁生 |
| 地址： | 100029北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所述方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成电阻转变存储层；在惰性气体的环境下并于100℃～1000℃下对所述电阻转变存储层进行退火处理；在所述电阻转变存储层上形成上电极即可。本发明的制作方法简单、成本低并且与传统CMOS工艺兼容，采用金属掺杂的二元金属氧化物作为电阻转变存储层，再经过退火处理，不仅可以使二元金属氧化物薄膜结晶，而且还可以在二元金属氧化物中形成大量的金属缺陷，在器件第一次由高阻态向低阻态转变时，不再需要一个高的操作电压来激活器件，从而可以消除Forming现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 金属 氧化物 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：步骤一：在衬底上形成下电极；步骤二：在所述下电极上形成金属掺杂的二元金属氧化物薄膜作为电阻转变存储层；步骤三：在惰性气体的环境下并于100℃～1000℃下对所述电阻转变存储层进行退火处理；步骤四：在所述电阻转变存储层上形成上电极。
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