[发明专利]集成电路金属层制程方法无效
| 申请号： | 200910303143.9 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924061A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 戴维斯 | 申请（专利权）人： | 戴维斯 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;李宇 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路金属层制程方法，其步骤为先取一基板，于该基板一面上涂布感光形介电材料，并以显影方式使感光型介电材料于基板一面上形成多数感光型介电层，且于各感光型介电层之间以非全面性涂布方式填充有导体层，之后再将该导体层加以磨平，使其与各感光型介电层位于同样高度，即可完成集成电路金属层的制作。藉此，可达到制程简化、易于批量生产以及降低制作成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 金属 层制程 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路金属层制程方法，其特征在于包含下列步骤：步骤一：取一基板，于该基板一面上涂布感光型介电材料；步骤二：以显影方式使感光型介电材料于基板一面上形成多数感光型介电层；步骤三：于各感光型介电层之间以非全面性涂布方式填充有导体层；以及步骤四：将该导体层加以磨平，使其与各感光型介电层位于同样高度，如此，即可完成集成电路金属层的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
