[发明专利]一种基于NMOS晶体管的90°移相器有效
| 申请号： | 200910303640.9 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101599751A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 雷牡敏;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/18 | 分类号： | H03H11/18 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一输出端和第二输出端构成；所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低功耗的CMOS工艺，小面积实现宽带90°移相，并具有以下两个优点，一是没有传输损耗，能通过有源元件调整其增益；二是与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，集成度高且工作频带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 晶体管 90 移相器 | ||
【主权项】：
1.一种基于NMOS晶体管的90°移相器，由输入端(Vin)、第一二阶全通滤波器、第二二阶全通滤波器、第一输出端(VoI)和第二输出端(VoQ)构成；所述第一二阶全通滤波器一端与所述输入端(Vin)相连，另一端与所述第一输出端(VoI)相连；所述第二二阶全通滤波器一端与所述输入端(Vin)相连，另一端与所述第二输出端(VoQ)相连；所述第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器是被并行驱动的；其特征在于，所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管(M1)和(M2)、电容(C1A)、两个并联相连的电容(C1B)和电阻(R1)，所述两个串联相连的NMOS晶体管(M1)和(M2)与所述电容(C1A)串联后，再与两个并联相连的电容(C1B)和电阻(R1)相并联；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管(M3)和(M4)、电容(C2A)、两个并联相连的电容(C2B)和电阻(R2)，所述两个串联相连的NMOS晶体管(M3)和(M4)与所述电容(C2A)串联后，再与两个并联相连的电容(C2B)和电阻(R2)相并联。
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