[发明专利]一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉无效
| 申请号： | 200910304181.6 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101660200A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄;马殿军;张伟娜;南毅;王致绪;徐诗双;洪朝海;程香 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B27/00;C30B29/06;C01B33/021 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正压 状态 生长 多晶 方法 铸锭 | ||
【主权项】：
1.一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法，包括以下步骤：a、将多晶硅材料装入石英坩埚中，封闭炉室，开循环水后抽真空；b、通入氩气，控制氩气流量大于真空泵抽速，炉室气压稳定后，关闭真空泵，开排气阀，调整氩气流量，使炉室内保持压力为1.01～1.05个大气压；c、逐渐加大加热功率，进行多晶硅的加热熔化，结晶，退火，冷却几个步骤，在此过程中炉室内压力保持1.01～1.05个大气压；d、步骤c完成后，关闭氩气，取出多晶硅铸锭。
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