[发明专利]太阳能装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910304584.0 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101964369A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 余泰成;黄雍伦 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种太阳能装置，其包括：陶瓷基板；若干个III-V族太阳能芯片，其设置在所述陶瓷基板上用于将太阳能转化为电能；封装体，其覆盖所述陶瓷基板和所述III-V族太阳能芯片，所述封装体对应所述III-V族太阳能芯片的位置形成有至少一个菲涅尔透镜，太阳光通过所述菲涅尔透镜并会聚至所述III-V族太阳能芯片上。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能模组，其包括：陶瓷基板；若干个III‑V族太阳能芯片，其设置在所述陶瓷基板上用于将太阳能转化为电能；封装体，其覆盖所述陶瓷基板和所述III‑V族太阳能芯片，所述封装体对应所述III‑V族太阳能芯片的位置形成有至少一个菲涅尔透镜，太阳光通过所述菲涅尔透镜并会聚至所述III‑V族太阳能芯片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
