[发明专利]一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法有效
| 申请号： | 200910304802.0 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101619457A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及使用该腐蚀剂的腐蚀方法，属于集成电路制造技术领域。所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。所述使用该腐蚀剂的腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO2界面层或者Si/SiON界面层上后，将其浸泡在所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。采用本发明腐蚀剂对HfSiON高K栅介质材料进行腐蚀时，可降低氢氟酸水解，从而提高HfSiON高K栅介质材料的腐蚀速度并降低对场氧区SiO2的腐蚀速度，进而提高HfSiON对场氧区SiO2的选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfsion 介质 材料 腐蚀剂 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。
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