[发明专利]一种低卤素含量的导电银浆有效

专利信息
申请号: 200910305761.7 申请日: 2009-08-18
公开(公告)号: CN101650982A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 高官明;刘侦德;李夏林;李清湘;黄建民;吴涛;伏志宏;周少强;林兴铭;程玉才;黄培德;何其飞;阎耿 申请(专利权)人: 深圳市中金岭南科技有限公司
主分类号: H01B1/00 分类号: H01B1/00;H01B1/02;H01B1/22
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 代理人: 胡吉科
地址: 518122广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种低卤素含量的导电银浆。所述低卤素含量的导电银浆包括(以下各成分所占百分比为重量比):聚酯树脂1-25%;银粉20-55%;分散剂0.1-9%;附着力促进剂0.1-8%;流平剂0-6%;石墨粉0-8%;有机溶剂20-60%。相比于先前的导电银浆,本发明的导电银浆有较低的卤素含量,满足欧盟环保要求,是绿色环保产品。银浆的烘烤温度低,对PET薄膜有较强的附着力,电阻率低,弯折性和硬度适中,是制作环保型印刷电路的优选材料。
搜索关键词: 一种 卤素 含量 导电
【主权项】:
1.一种低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述低卤素含量的导电银浆包括:聚酯树脂 1-25%;银粉 20-55%;分散剂 0.1-9%;附着力促进剂 0.1-8%;流平剂 0-6%;石墨粉 0-8%;有机溶剂 20-60%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中金岭南科技有限公司,未经深圳市中金岭南科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910305761.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top