[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910306472.9 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102005443A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 骆世平 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其中，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。该发光二极管封装结构通过以碳纳米管薄膜作为电极层，因碳纳米管薄膜具有导电性及透光性，使该发光二极管封装结构提升了出光效率。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其特征在于，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。
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