[发明专利]一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910306635.3 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645471A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 白云;刘键;麻芃;朱杰;饶志鹏;刘新宇;郭丽伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、两个Al0.45Ga0.55N层、两个Al0.2Ga0.8N层和两个GaN层，其中，Al0.45Ga0.55N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结，Al0.2Ga0.8N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结，GaN层和其相邻的一个层之间形成一个pn结。本发明的全波段紫外探测器可以实现在一套系统内根据要求进行不同波段之间的转换探测，减少了使用成本，便于在实际工作中进行操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 algan 波段 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于AlGaN的全波段紫外探测器，其特征在于，包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、第一Al0.45Ga0.55N层、第二Al0.45Ga0.55N层、第一Al0.2Ga0.8N层、第二Al0.2Ga0.8N层、第一GaN层和第二GaN层，在所述Al0.65Ga0.35N层上设置有第一上电极，在所述第二Al0.45Ga0.55N层上设置有第二上电极，在所述第二GaN层上设置有第三上电极，其中，所述第一Al0.45Ga0.55N层为i型Al0.45Ga0.55N层，其和一个相邻的层之间形成一个pn结；所述第一Al0.2Ga0.8N层为i型Al0.2Ga0.8N层，其和一个相邻的层之间形成一个pn结；所述第一GaN层为i型GaN层，其和一个相邻的层之间形成一个pn结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
