[发明专利]放电电路无效
| 申请号： | 200910307228.4 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102025272A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 洪隆裕;孔圣翔;陈世权;赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种放电电路。该放电电路与功率因素校正电路的输出端电连接，且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点，该功率因素校正电路中具有一个滤波电容。该放电电路包括一个第一二极管，一个光耦合器，一个第二二极管，一个第一电容，一个放电单元，以及一个NPN型三极管。该放电单元包括一个MOSFET以及一个放电电阻。该MOSFET的栅极与该第一电容的正极电连接，该MOSFET的源极接地，该MOSFET的漏极通过该放电电阻与第一节点电连接。该NPN型三极管的基极与该次级面的输出端电连接，该NPN型三极管的集电极与该第一电容的正极电连接。该放电电路消耗的功率较小且放电时间可调节。 | ||
| 搜索关键词： | 放电 电路 | ||
【主权项】：
一种放电电路，其与一个功率因素校正电路的输出端电连接，且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点，该功率因素校正电路中具有一个滤波电容，该放电电路包括：一个第一二极管，其正极外接一个电压；一个光耦合器，其具有一个初级面与一个次级面，该初级面的输入端与该第一二极管的负极电连接，该次级面的输入端与外接电压电连接；一个第二二极管，其正极与该初级面的输出端电连接；一个第一电容，其正极与该第二二极管的负极电连接，其负极接地；一个放电单元，其包括一个MOSFET以及一个放电电阻，该MOSFET的栅极与该第一电容的正极电连接，该MOSFET的源极接地，该MOSFET的漏极通过该放电电阻与第一节点电连接；一个NPN型三极管，其基极与该次级面的输出端电连接，该NPN型三极管的发射极接地，该NPN型三极管的集电极与该第一电容的正极电连接。
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