[发明专利]一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200910307518.9 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101661921A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 蒲颜;罗卫军;陈晓娟;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层和第二Si3N4层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si3N4介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 单片 集成电路 中的 金属 布线 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微波单片集成电路中的金属布线层结构，所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层(106)和第二Si3N4层(107)之间，其特征在于，所述金属布线层结构包括第一Ti层(101)、设置在所述第一Ti层(101)上的Ni层(102)、设置在所述Ni层(102)上的第二Ti层(103)、设置在所述第二Ti层(103)上的Au层(104)、以及设置在所述Au层(104)上的第三Ti层(105)。
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